長度、寬度、厚度及允差（±0.20）垂直度（≤0.10%）翹曲度（厚度0.7mm以上≤0.10%，厚度0.55mm以下≤0.15%）微觀波紋度倒邊C倒邊（0.05mm≤寬度≤0.40mm）R倒邊（0.20mm≤寬度≤1.00mm，曲率半徑≤50mm）倒角（浮法方向2.0mmX5.0mm；其余1.5mmx1.5mm）SiO2阻擋層厚度（350?！?0埃，550nm透過率≥90%）ITO層光學(xué)、電學(xué)、蝕刻性能（蝕刻液：600C 37%HCL:H2O:67%HNO3=50:50:3）
ITO層在活性正價(jià)離子溶液中易產(chǎn)生離子置換反應(yīng)，形成其它導(dǎo)電和透過率不佳的反應(yīng)物質(zhì)，所以在加工過程中，盡量避免長時(shí)間放在活性正價(jià)離子溶液中。ITO層由很多細(xì)小的晶粒組成，晶粒在加溫過程中會裂變變小，從而增加更多晶界，電子突破晶界時(shí)會損耗一定的能量，所以ITO導(dǎo)電玻璃的ITO層在600度以下會隨著溫度的升高，電阻也增大。
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