早期的ITO導(dǎo)電膜玻璃是采用銦錫合金作為濺射靶材,進(jìn)而通過(guò)氧化反應(yīng)形成膜導(dǎo)電膜。但這種材質(zhì)有這天然的缺陷,比如,它對(duì)濺射工藝控制的要求就非常嚴(yán)格。因?yàn)檠鯕饬髁康妮p微波動(dòng),可能就會(huì)導(dǎo)致氧化反應(yīng)的不均勻,最終導(dǎo)致膜層的透過(guò)率和刻蝕性變差。而如果氧氣流量過(guò)大,又會(huì)使得靶面濺射效率下降,進(jìn)而影響膜層的厚度和阻值。 因此,隨著鍍膜技術(shù)的不斷發(fā)展和新材料的研發(fā),氧化靶出現(xiàn)了。這種制作工藝就是將高純度的氧化銦和氧化錫超細(xì)粉末,按比例充分混合后、采用粉末冶金工藝燒結(jié)成固體靶材。這樣的好處是可以避免上述用銦錫合金作為濺射靶材、通過(guò)氧化反應(yīng)形成導(dǎo)電膜的工藝所出現(xiàn)的大部分問(wèn)題。
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ITO層在活性正價(jià)離子溶液中易產(chǎn)生離子置換反應(yīng),形成其它導(dǎo)電和透過(guò)率不佳的反應(yīng)物質(zhì),所以在加工過(guò)程中,盡量避免長(zhǎng)時(shí)間放在活性正價(jià)離子溶液中。ITO層由很多細(xì)小的晶粒組成,晶粒在加溫過(guò)程中會(huì)裂變變小,從而增加更多晶界,電子打破晶界時(shí)會(huì)損耗一定的能量,所以ITO導(dǎo)電玻璃的ITO層在600度以下會(huì)隨著溫度的升高,電阻也加大。